
用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)

氮化鎵中鉻含量的二次離子質(zhì)譜分
氮化鎵材料禁帶寬度較大,是寬禁帶半導(dǎo)體之一,被廣泛用作微波功率晶體管和藍(lán)色光發(fā)光器件的生產(chǎn)制造原材料。氮化鎵材料的探究與使用是目前全世界...

一種陽(yáng)極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特

絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析
絕緣柵HEMT器件中除了存在界面態(tài)外,柵絕緣層還會(huì)在界面引入固定電荷和體電荷,研究表明柵絕緣層與氮化物勢(shì)壘層之間界面固定電荷密度可以高達(dá)10 13...

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特

AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析

4英寸半絕緣自支撐氮化鎵晶圓片量
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配,自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力,如發(fā)光二極管,激光二極管,功率器件和射頻...

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作
